Intel e Micron raddoppiano la densità delle memorie NAND Flash

Intel e Micron hanno annunciato una joint venture per la produzione di NAND Flash con un circuito più denso, che consentirà a un terabit di dati, o 128 gigabyte, di stare su un polpastrello.

La joint venture, IM Flash Technologies (IMFT), ha detto oggi di aver creato la prima NAND Flash 20 nanometri (nm), 128Gbit multilevel-cell (MLC).

I nuovi chip 20nm hanno la più alta capacità per la loro “form factor” e sono destinati ad equipaggiare tablet, smartphone e altri dispositivi elettronici.

Il nuovo processo raddoppia la capacità del processo di litografia 25nm, che è stato utilizzato per realizzare gli stampi 64Gbit utilizzati nelle attuali unità a stato solido (SSD), tablet e smartphone.
La società ha inoltre annunciato la produzione di massa dei nuovi stampi 64Gbit con la tecnologia 20 nm.

I primi 128Gbit saranno disponibili nel mese di gennaio, mentre la produzione di massa sarà avviata più tardi, nella prima metà del 2012, ha dichiarato IMFT.

I nuovi stampi 128Gbit permetteranno ai produttori di raddoppiare la capacità degli SSD NAND e di altri prodotti di storage, consentendo ad un unico dispositivo di contenere 16GB di dati e 8 chip con 128GB di dati.

IMFT annunciato la sua tecnologia 20nm nel mese di aprile.

Raddoppiando la densità delle flash NAND si ridurranno anche i costi di produzione associati alla produzione di wafer, ha precisato un portavoce di IMFT.

Gli stampi 128Gbit di IMFT utilizzano l’Open NAND Flash Interface 3.0, che offre prestazioni fino a 333 megatransfers (1 megatransfer equivale a un milione di unità di dati al secondo).